SSD 4TB M.2 80mm PCI-e 5.0 x4 NVMe 2.0, V-NAND TLC, Samsung 9100 PRO HeatSink (MZ-VAP4T0CW)
EAN: 8806095811659Samsung 9100 Pro HeatSink je NVMe 2.0 M.2 SSD s PCIe 5.0 x4 vodilom in 4TB prostora. Dosega hitrosti branja do 14.800 MB/s in pisanja do 13.400 MB/s. Primeren je tako za oblikovalce, fotografe in video urednike, kot tudi za ustvarjanje z umetno inteligenco in za igranje iger. Opremljen s hladilnikom za boljše odvajanje toplote pri dolgotrajnejših obremenitvah.
Vaše zadovoljstvo je na prvem mestu, zato lahko v 14-dneh od nakupa vaše naročilo vrnete, mi pa vam bomo povrnili celotno kupnino.
Naročilo lahko plačate s kreditnimi karticami (Mastercard, Visa, Diners), preko PayPal sistema, po predračunu, po povzetju ali pa osebno v naši poslovalnici.
Nudimo pa tudi nakup na obroke, ki ga preprosto v parih minutah sklenete v naši poslovalnici. Potrebujete samo osebno izkaznico in davčno številko.
POdroben opis
PCIe 5.0 HITROSTI
Pohitrite svoje delo in igre s PCIe 5.0 hitrostmi branja in pisanja. Velike datoteke se prenesejo, kopirajo in premikajo kar 2x hitreje kot na Samsung 990 Pro.
SPOZNAJTE HITROST
Samsung 9100 Pro dosega hitrosti naključnega branja do 2.200* kIOPS in pisanja do 2600* kIOPS. To poskrbi za hitro ustvarjanje z umetno inteligenco, nalaganje iger, hitro večopravilnost in preprosto ustvarjanje ali oblikovanje. (*odvisno od kapacitete)
ŠIROKA KOMPATIBILNOST
9100 Pro je kompatibilen tako s prenosniki kot stacionarnimi računalniki in je na voljo v različnih kapacitetah. Odličen je za uporabo v video produkciji, oblikovanju in se odlično izkaže pri igranju iger.
HLADEN IN HITER
Disk je opremljen s 5nm kontrolerjem, ki je 49% učinkovitejši pri porabi energije kot 990 Pro. Optimizirano je tudi hlajenje, ki poskrbi za konsistentno delovanje brez upočasnitev.
Specifikacije
- Vodilo: PCIe 5.0 x4, NVMe 2.0
- Oblika: M.2 2280
- NAND: Samsung V NAND TLC (V8)
- Opremljen z hladilnimi režami za boljše odvajanje toplote med delovanjem
- Kontroler: Samsung
- Cache pomnilnik: 4 GB LPDDR4X
- Kapaciteta: 4 TB
- Hitrost sekvenčnega branja: 14.800 MB/s
- Hitrost sekvenčnega pisanja: 13.400 MB/s
- Hitrost naključnega branja (IOPS, QD32): 2200K
- Hitrost naključnega pisanja (IOPS, QD32): 2600K
- Napajanje:
- Aktivno: 9.0 W / 8.2 W
- V mirovanju: 6.5 mW / 5.7 mW
- Inteligentni TurboWrite 2.0: 442 GB
- Enkripcija podatkov: Class 0 (AES 256), TCG/Opal v2.0, MS eDrive (IEEE1667)
- TBW: 2400
Dodatne Lastnosti:
- Format diska: M.2
- Vodilo: PCI-e 5.0 x4 NVMe
- Kapaciteta: 4.000 GB
- Hitrost branja: 14.800 MB/s
- Hitrost zapisovanja: 13.400 MB/s
- Tip čipov: V-NAND TLC
- Kontroler: Samsung
- Naključno branje: 2.200.000 IOPS
- Naključno zapisovanje: 2.600.000 IOPS
- Vzdržljivost: 2.400 TBW